DRAM&FALSH存儲芯片是什(shén)麽

DRAM，全稱動态随機存取内存（Dynamic Random Access Memory），是一種半導體DRAM，全稱動态随機存取内存（Dynamic Random Access Memory），是一種半導體存儲器，它具備較高(gāo)的(de)讀寫性能，但保留數據的(de)時(shí)間相對(duì)較短。而FLASH，也(yě)被稱爲閃存，是一種非易失性存儲器，即使在斷電情況下(xià)也(yě)能保持數據。

DRAM和(hé)FLASH在存儲原理(lǐ)和(hé)應用(yòng)領域上存在明(míng)顯差異。DRAM的(de)存儲單元由電容組成，需要定期刷新以維持數據，适用(yòng)于需要快(kuài)速讀寫的(de)場(chǎng)景，如計算(suàn)機内存。相比之下(xià)，FLASH的(de)存儲單元是場(chǎng)效應晶體管，具有非易失性和(hé)高(gāo)密度的(de)特點，适用(yòng)于長(cháng)期存儲數據，如固态硬盤、閃存卡等。

從優勢角度來(lái)看，DRAM的(de)優勢在于高(gāo)速讀寫性能，适合作爲系統運行時(shí)的(de)臨時(shí)存儲介質。而FLASH的(de)優勢在于非易失性、耐久性和(hé)低功耗特性，使其成爲長(cháng)期存儲數據的(de)理(lǐ)想選擇。