适合衆多(duō)計算(suàn)環境,進行了(le)包括老化(huà)和(hé)高(gāo)低溫壓力測試在内的(de)40多(duō)項生産測試,保證産品品質可(kě)靠 , 采用(yòng)25nm工藝,符合JEDEC标準。
速度快(kuài),性能高(gāo),帶寬是 DDR2 的(de)兩倍。
功耗低、能效高(gāo)的(de)DRAM 解決方案,與 DDR2 相比功耗降低達 30%。
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13603021259
Density | Part Number | Voltage | Organization | Speed | Package |
64x16(1Gb) | C4B1G1646IY-BCKO | 1.35V-1.5V | x16 | 1600 Mbps | 96FBGA |
64x16(1Gb) | C4B1G1646IY-BCMA | 1.35V-1.5V | x16 | 1866 Mbps | 96FBGA |
256x8(2Gb) | C4B2G0846IY-BCKO | 1.35V-1.5V | x8 | 1600 Mbps | 78FBGA |
128x16(2Gb) | C4B2G1646FY-BCKO | 1.35V-1.5V | x16 | 1600 Mbps | 96FBGA |
128x16(2Gb) | C4B2G1646FY-BCMA | 1.35V-1.5V | x16 | 1866 Mbps | 96FBGA |
512x8(4Gb) | C4B4G0846EY-BCMA | 1.35V-1.5V | x8 | 1866 Mbps | 78FBGA |
256x16(4Gb) | C4B4G1646DY-BCKO | 1.35V-1.5V | x16 | 1600 Mbps | 96FBGA |
256x16(4Gb) | C4B4G1646EY-BCMA | 1.35V-1.5V | x16 | 1866 Mbps | 96FBGA |
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